檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "周賢鎧".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="薄膜"
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本研究以磁控濺鍍技術，製作出30-100nm的YSZ薄膜於矽基板、MgO、LaAlO3、LiNbO3和不鏽鋼上。薄膜的型態則以SEM、AFM觀察，結構為柱狀晶且其表面緻密且無孔洞，從XRD、Rama…
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近年可撓式以及透明之感測元件應用越來越廣，因此，本研究以透明導電薄膜AZO，搭配PVDF鐵電高分子披覆之PET可撓式基板，製作可撓式透明感測元件，並研究其鐵電、壓電、介電及可見光穿透性。 本…
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本實驗以適用於發光二極體的三元砷化鋁鎵(100)晶片系統，以熱蒸鍍法沉積金鈹合金於砷化鋁鎵晶片上，並使用快速升降溫爐及傳統管狀爐作熱處理，本論文以研究此晶片系統之金屬層的組成相為方向。 X光…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面，使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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目前市面上已被廣泛使用的記憶體，如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等，在元件的尺寸大小及密度都已達…